中山市华工科技有限公司存储产品介绍

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• 中山市华工科技有限公司 HGCHIPS.COM


存储产品线介绍
•三星 & 海力士 原装渠道 DDR3/DDR4/DDR5/HBM全系列


1. 公司简介
•成立时间：2019年
•总部：广东中山
•主营：存储颗粒（DRAM）原装进口与替代方案
•渠道：韩国三星、海力士原厂
•年出货量：>5KKpcs
•客户：主板厂、工控厂、AI硬件厂商、ODM/OEM
•中山市华工科技有限公司（HGTECH）2019 年成立于中山翠亨新区，定位“芯片级替代方案商”。公司只做两件事：把国外存储颗粒国产化，把国产芯片做进高端板卡。核心团队来自海力士、三星、MTK 及中山龙头 PCB 厂，在芯片逆向、封装测试、信号完整性仿真三条链路上具备原厂级能力。
•产品线
•1.
•DDR3 / DDR4 兼容颗粒——Pin-to-Pin 替代海力士、三星、镁光、南亚、EMST 全系型号，工业级 -40~105℃ 已通过网通行业、光通信服务器行业 量产验证。
•2.
•DDR5 / HBM——暂不做晶圆，仅提供原装海力士 & 三星渠道料，可按项目小批量锁货，支持 QC 与 Lot No 追溯。
•3.
•LPDDR、SD/eMMC、TF 卡——走量型产品，月常备库存 8-12KK pcs，交付周期 3-7 天。
•交付与质量
•中山、深圳、香港三地仓，。
•应用案例
•通信基站、车载 BMS、医疗 CT、军工加固、AI 加速卡等 500+ 项目，80% 客户来自欧美高端 OEM/ODM。华工科技继续深耕“替代+方案”赛道，目标 2026 年完成 DDR5 32Gb 兼容研发，成为中国存储替代首选品牌。

2. 产品总览（含型号前缀）
系列 品牌 容量 频率 封装 原装/替代 备注
DDR3 三星/海力士/镁光 1Gb~4Gb 1333/2133 96Ball FBGA 替代 工业级
DDR4 三星/海力士/镁光 4Gb~16Gb 2133~3200 78Ball FBGA 替代 商业级+工业级
DDR5 三星/海力士 8Gb~32Gb 4800~6400 82Ball FBGA 原装 韩国直采
HBM2E/HBM3 三星/海力士 8GB/16GB/24GB 3.2~6.4Gbps 1024Ball TSV 原装 AI/GPU专用

3. DDR3 系列（替代型号）
容量 频率 三星型号 海力士型号 镁光型号 封装 电压
2Gb 1333 K4B2G0846D H5TQ2G83CFR MT41J128M16 96FBGA 1.5V
4Gb 1600 K4B4G0846E H5TQ4G83CFR MT41J256M16 96FBGA 1.5V
✅ 替代优势：Pin-to-Pin兼容，无需改板，工业级温度（-40~95℃）

4. DDR4 系列（替代型号）
容量 频率 三星型号 海力士型号 镁光型号 封装 电压
4Gb 2133 K4A4G085WE H5AN4G8NAFR MT40A512M16 78FBGA 1.2V
8Gb 2666 K4A8G085WB H5AN8G8NAFR MT40A1G16 78FBGA 1.2V
16Gb 3200 K4AAG085WA H5ANAG8NAFR MT40A2G16 78FBGA 1.2V
✅ 替代优势：JEDEC标准，兼容原厂时序，支持XMP

5. DDR5 系列（原装韩国渠道）
容量 频率 三星型号 海力士型号 封装 电压 备注
8Gb 4800 K5C8G1G60NB H5CG48MEBDX 82FBGA 1.1V 原生4800
16Gb 5600 K5CAG1G60NB H5CG48MEBDX 82FBGA 1.1V 支持OC 6400
32Gb 6400 K5CBG1G60NB H5CG48MEBDX 82FBGA 1.1V 单颗32Gb，服务器级
✅ 渠道保障：韩国首尔直采，原厂Lot号可追溯，支持QC质检报告

6. HBM 系列（原装韩国渠道）
类型 容量 三星型号 海力士型号 带宽 封装 应用
HBM2E 8GB KHA884901X H5VR64ESA8H 460GB/s 1024Ball TSV AI加速卡
HBM2E 16GB KHA884902X H5VR64ESA16 460GB/s 1024Ball TSV GPU/FPGA
HBM3 24GB KHA884903X H5VR64ESA24 819GB/s 1024Ball TSV H100/A100级
✅ 独家渠道：海力士HBM3 24GB现货库存，支持小批量试产

7. 技术优势与渠道保障
•✅ 韩国原厂Lot号可追溯
•✅ 支持QC质检报告（SGS/ROHS/REACH）
•✅ 工业级温度支持（-40~95℃）
•✅ 支持小批量试产（10pcs起订）
•✅ 深圳/中山/香港三地仓库，现货库存>500KKpcs

8. 应用领域
•消费电子：PC、笔记本、平板
•工业控制：工控主板、PLC、边缘计算盒
•通信设备：5G基站、路由器、交换机
•数据中心：服务器DIMM、RDIMM、LRDIMM
•人工智能：AI训练卡、GPU加速卡、FPGA板卡

9. 联系方式
•公司：中山市华工科技有限公司
•地址：广东省中山市火炬开发区雅景花园3区54号
•电话：0760-89924799
•邮箱：long@hgtech.cc
•官网：www.hgchips.com
•微信：longqi2010













✅ 华工科技 × 海力士DDR3替代型号（HG系列）
容量 频率 海力士原厂型号 华工替代型号 封装 电压 温度
2Gb 1333 H5TQ2G83CFR HGTQ2G83CFR 96FBGA 1.5V C/I
2Gb 1600 H5TQ2G83CFA HGTQ2G83CFA 96FBGA 1.5V C/I
4Gb 1333 H5TQ4G83CFR HGTQ4G83CFR 96FBGA 1.5V C/I
4Gb 1600 H5TQ4G83CFA HGTQ4G83CFA 96FBGA 1.5V C/I
4Gb 1866 H5TQ4G83CFR-P HGTQ4G83CFR-P 96FBGA 1.5V I

✅ 华工科技 × 海力士DDR4替代型号（HG系列）
容量 频率 海力士原厂型号 华工替代型号 封装 电压 温度
4Gb 2133 H5AN4G8NAFR HGAN4G8NAFR 78FBGA 1.2V C/I
4Gb 2400 H5AN4G8NAFB HGAN4G8NAFB 78FBGA 1.2V C/I
8Gb 2133 H5AN8G8NAFR HGAN8G8NAFR 78FBGA 1.2V C/I
8Gb 2400 H5AN8G8NAFB HGAN8G8NAFB 78FBGA 1.2V C/I
8Gb 2666 H5AN8G8NAFJ HGAN8G8NAFJ 78FBGA 1.2V C/I
16Gb 2133 H5ANAG8NAFR HGANAG8NAFR 78FBGA 1.2V C/I
16Gb 2400 H5ANAG8NAFB HGANAG8NAFB 78FBGA 1.2V C/I
16Gb 2666 H5ANAG8NAFJ HGANAG8NAFJ 78FBGA 1.2V C/I
16Gb 3200 H5ANAG8NAFK HGANAG8NAFK 78FBGA 1.2V I









✅ 华工科技 × 三星 DDR3/DDR4 兼容型号清单


1️⃣ DDR3 替代列表（Samsung → HG）
容量 频率 三星原厂型号 华工替代型号 封装 电压 温度
2Gb 1333 K4B2G0846D-HCH9 HGB2G0846D-HCH9 96FBGA 1.5 V C
2Gb 1600 K4B2G0846D-HCK0 HGB2G0846D-HCK0 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1333 K4B4G0846E-HCH9 HGB4G0846E-HCH9 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1600 K4B4G0846E-HCK0 HGB4G0846E-HCK0 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1866 K4B4G0846E-BCK0 HGB4G0846E-BCK0 96FBGA 1.5 V I

2️⃣ DDR4 替代列表（Samsung → HG）
容量 频率 三星原厂型号 华工替代型号 封装 电压 温度
4Gb 2133 K4A4G085WE-BCTD HGA4G085WE-BCTD 78FBGA 1.2 V C
4Gb 2400 K4A4G085WE-BCTC HGA4G085WE-BCTC 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2133 K4A8G085WB-BCTD HGA8G085WB-BCTD 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2400 K4A8G085WB-BCTC HGA8G085WB-BCTC 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2666 K4A8G085WB-BCRC HGA8G085WB-BCRC 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2133 K4AAG085WA-BCTD HAAG085WA-BCTD 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2400 K4AAG085WA-BCTC HAAG085WA-BCTC 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2666 K4AAG085WA-BCRC HAAG085WA-BCRC 78FBGA 1.2 V C
16Gb 3200 K4AAG085WA-BCPB HAAG085WA-BCPB 78FBGA 1.2 V I



✅ 华工科技 × 镁光（Micron）DDR3/DDR4 替代型号清单


1️⃣ DDR3 替代列表（Micron → HG）
容量 频率 镁光原厂型号 华工替代型号 封装 电压 温度
2Gb 1333 MT41J128M16JT-125:K HG41J128M16JT-125:K 96FBGA 1.5 V C
2Gb 1600 MT41J128M16JT-107:K HG41J128M16JT-107:K 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1333 MT41J256M16JT-125:K HG41J256M16JT-125:K 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1600 MT41J256M16JT-107:K HG41J256M16JT-107:K 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1866 MT41J256M16JT-093:K HG41J256M16JT-093:K 96FBGA 1.5 V I

2️⃣ DDR4 替代列表（Micron → HG）
容量 频率 镁光原厂型号 华工替代型号 封装 电压 温度
4Gb 2133 MT40A512M16JY-083E:K HG40A512M16JY-083E:K 78FBGA 1.2 V C
4Gb 2400 MT40A512M16JY-075E:K HG40A512M16JY-075E:K 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2133 MT40A1G16KD-083E:K HG40A1G16KD-083E:K 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2400 MT40A1G16KD-075E:K HG40A1G16KD-075E:K 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2666 MT40A1G16KD-062E:K HG40A1G16KD-062E:K 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2133 MT40A2G16KD-083E:K HG40A2G16KD-083E:K 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2400 MT40A2G16KD-075E:K HG40A2G16KD-075E:K 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2666 MT40A2G16KD-062E:K HG40A2G16KD-062E:K 78FBGA 1.2 V C
16Gb 3200 MT40A2G16KD-051E:K HG40A2G16KD-051E:K 78FBGA 1.2 V I







✅ 华工科技 × EMST（原 Etron → 现 EMST）
DDR3 替代列表（EMST → HG）
容量 频率 EMST 原厂型号 华工替代型号 封装 电压 温度
2Gb 1333 EM6GC16EWX-12H HG6GC16EWX-12H 96FBGA 1.5 V C
2Gb 1600 EM6GC16EWX-15H HG6GC16EWX-15H 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1333 EM6GC32EWX-12H HG6GC32EWX-12H 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1600 EM6GC32EWX-15H HG6GC32EWX-15H 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1866 EM6GC32EWX-18H HG6GC32EWX-18H 96FBGA 1.5 V I

2️⃣ DDR4 替代列表（EMST → HG）
容量 频率 EMST 原厂型号 华工替代型号 封装 电压 温度
4Gb 2133 EM6AC08EWX-083 HG6AC08EWX-083 78FBGA 1.2 V C
4Gb 2400 EM6AC08EWX-075 HG6AC08EWX-075 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2133 EM6AC16EWX-083 HG6AC16EWX-083 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2400 EM6AC16EWX-075 HG6AC16EWX-075 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2666 EM6AC16EWX-062 HG6AC16EWX-062 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2133 EM6AC32EWX-083 HG6AC32EWX-083 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2400 EM6AC32EWX-075 HG6AC32EWX-075 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2666 EM6AC32EWX-062 HG6AC32EWX-062 78FBGA 1.2 V C
16Gb 3200 EM6AC32EWX-051 HG6AC32EWX-051 78FBGA 1.2 V I

✅ 华工科技 × 南亚（Nanya）

DDR3 替代列表（Nanya → HG）
容量 频率 南亚原厂型号 华工替代型号 封装 电压 温度
2Gb 1333 NT5CB128M16BP-CG HG5CB128M16BP-CG 96FBGA 1.5 V C
2Gb 1600 NT5CB128M16BP-DI HG5CB128M16BP-DI 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1333 NT5CB256M16BP-CG HG5CB256M16BP-CG 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1600 NT5CB256M16BP-DI HG5CB256M16BP-DI 96FBGA 1.5 V C
4Gb 1866 NT5CB256M16BP-ED HG5CB256M16BP-ED 96FBGA 1.5 V I

2️⃣ DDR4 替代列表（Nanya → HG）
容量 频率 南亚原厂型号 华工替代型号 封装 电压 温度
4Gb 2133 NT5AD512M8A3-FP HG5AD512M8A3-FP 78FBGA 1.2 V C
4Gb 2400 NT5AD512M8A3-FQ HG5AD512M8A3-FQ 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2133 NT5AD1G16A3-FP HG5AD1G16A3-FP 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2400 NT5AD1G16A3-FQ HG5AD1G16A3-FQ 78FBGA 1.2 V C
8Gb 2666 NT5AD1G16A3-FR HG5AD1G16A3-FR 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2133 NT5AD2G16A3-FP HG5AD2G16A3-FP 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2400 NT5AD2G16A3-FQ HG5AD2G16A3-FQ 78FBGA 1.2 V C
16Gb 2666 NT5AD2G16A3-FR HG5AD2G16A3-FR 78FBGA 1.2 V C
16Gb 3200 NT5AD2G16A3-FS HG5AD2G16A3-FS

目前是NAND FLASH需要加速建立品牌渠道，需要工厂背书，建立NAND FLASH封测代工厂在珠三角，寻找有需要NAND FLASH的上市公司或者有投资意向做封测产业的投资公司合作，加速存储的销售进程。共同打造一家销售超10亿的存储半导体公司。

已筹建公司，有了核心团队和项目方向，但还没有进入市场或已进入但没有明确的市场数据